一、概述

　　采用激光切割法，將標準規格的電池片沿垂直于電池主柵線的方向切割為兩塊或兩塊以上的電池片串聯焊接。因為太陽晶硅電池的電壓與面積無關，而功率與面積成正比，所以半電池的電壓與整個電池的電壓一樣，功率減半，電流減半，所以稱之為半部光伏組件。

　　為確(que)保與常規(gui)組(zu)(zu)件(jian)的整體(ti)輸(shu)出電(dian)(dian)(dian)壓、電(dian)(dian)(dian)流(liu)一(yi)致，將半電(dian)(dian)(dian)池組(zu)(zu)件(jian)設計成串聯-并(bing)(bing)聯結(jie)構，相當(dang)于將兩個小(xiao)組(zu)(zu)件(jian)并(bing)(bing)聯在一(yi)起。在封裝技術方面，半電(dian)(dian)(dian)池與常規(gui)組(zu)(zu)件(jian)相同，采(cai)用(yong)了鋼化玻(bo)璃、 EVA和(he)背板來封裝。與接(jie)線(xian)盒(he)(he)不(bu)同的是，一(yi)般(ban)采(cai)用(yong)三分體(ti)的接(jie)線(xian)盒(he)(he)。

　　在(zai)工藝(yi)方面(mian)，半電池模塊的(de)(de)工藝(yi)變化(hua)簡(jian)單，電池的(de)(de)串聯(lian)焊(han)接(jie)時間會因為(wei)電池數量的(de)(de)翻倍而翻倍。難點在(zai)于母線引出線是從模塊背面(mian)中間引出的(de)(de)，母線焊(han)接(jie)的(de)(de)自動化(hua)促進了半電池模塊的(de)(de)快速(su)發展。

　　二、半部光伏組件優勢

　　由(you)于減(jian)少(shao)了內(nei)部(bu)電路和內(nei)部(bu)摩擦(ca)，提高(gao)了封裝效率(lv);此外，降低了組件(jian)的工作溫度(du)，降低了熱(re)點的概率(lv)，提高(gao)了組件(jian)的可靠(kao)性(xing)和安(an)全性(xing)。在陰影遮擋方(fang)面(mian)，由(you)于其設計，比常規組件(jian)具有更好的防遮擋性(xing)能。與傳(chuan)統(tong)組件(jian)相比，半片(pian)式組件(jian)主要表現在三個(ge)方(fang)面(mian):

　　1. 減少(shao)熱量產生和溫度損失(shi)。

　　降(jiang)低(di)了內(nei)部(bu)電(dian)流和內(nei)部(bu)損耗，使(shi)得組(zu)(zu)件(jian)和接線盒的工作溫度降(jiang)低(di)，從(cong)而也大(da)大(da)降(jiang)低(di)了熱斑率和組(zu)(zu)件(jian)整體損壞的風險(xian)。半片(pian)式(shi)組(zu)(zu)件(jian)在(zai)室外工作時，其自身(shen)溫度要比常(chang)規的整片(pian)組(zu)(zu)件(jian)低(di)1.6℃左右。

　　2. 減(jian)少遮蔽損失

　　根據一份新的(de)(de)(de)家庭(ting)光伏檢測報(bao)告，52.6%的(de)(de)(de)發電(dian)(dian)廠發生閉(bi)塞，46.4%的(de)(de)(de)閉(bi)塞對象被(bei)封閉(bi)，53.6%的(de)(de)(de)發電(dian)(dian)廠自身被(bei)封閉(bi)。由于其特殊(shu)的(de)(de)(de)串聯結構，半(ban)片組件可以(yi)減少(shao)發電(dian)(dian)能力(li)(li)損(sun)失，同(tong)時(shi)通過垂直布(bu)局提高支撐和土地利用率(lv)。在(zai)封閉(bi)邊緣處，半(ban)片技術可以(yi)減少(shao)發電(dian)(dian)能力(li)(li)損(sun)失3/4以(yi)上;在(zai)封閉(bi)全寬(kuan)的(de)(de)(de)情況下，常規組件的(de)(de)(de)輸出(chu)功率(lv)幾乎為零(ling)，而(er)半(ban)片組件仍然保(bao)留大約一半(ban)的(de)(de)(de)發電(dian)(dian)能力(li)(li)。

　　3.提升效率

　　傳統零件的封裝損失一般大于(yu)1%，半芯片零件一般大約為0.2%。

　　三、半部光伏組件發展趨勢(shi)

　　隨著電站投資者以可承受的(de)(de)價格接(jie)入互聯網的(de)(de)壓力越來(lai)越大，對電費(fei)的(de)(de)需求也越來(lai)越高(gao)。與傳(chuan)統(tong)組件(jian)(jian)相比(bi)，半(ban)模塊組件(jian)(jian)制造過(guo)程中(zhong)增(zeng)加的(de)(de)主(zhu)要(yao)成本包括(kuo)電池切片、輔助(zhu)材料(liao)和人工成本、設備折舊(jiu)成本等。但是半(ban)模的(de)(de)功率可以比(bi)同版本的(de)(de)模塊提(ti)高(gao)5W-10W甚至更高(gao)。隨著組件(jian)(jian)價格的(de)(de)持續下(xia)降(jiang)，半(ban)件(jian)(jian)式組件(jian)(jian)的(de)(de)整體系統(tong)成本降(jiang)低。

　　根據市(shi)(shi)場(chang)分析，今后幾年(nian)，半部件會(hui)有市(shi)(shi)場(chang)，從2018年(nian)約5%擴大到2028年(nian)約40%，平均年(nian)增長率約10%。